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磁记忆检测技术是基于压磁效应的一种全新的无损检测技术。此项技术自问世以来就受到了广泛的关注。研究铁磁材料磁记忆应力检测力-磁关系机理对完善磁记忆检测技术,建立统一有效的检测标准,提高检测效率有着重要的理论和实际意义。本文从理论和实验两方面入手,较为系统的分析了磁记忆应力检测技术的力-磁关系机理。首先,本文从微磁化理论出发,采用Lagrange乘数法推导出单晶铁磁体中的应力-磁化矢量关系的描述方程,进一步推导出单晶铁磁体内的应力-磁化率变化量关系表达式,并以条形单晶铁磁体为例,采用8节点等