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In2Ge2O7是一种三元氧化物半导体,禁带宽度为4.43eV,吸收波长为280nm,对应于日盲波段,因此有望应用于日盲探测领域。本论文的主要工作是采用碳还原共蒸发法制备In2Ge2O7薄膜,以及探讨In2Ge2O7薄膜作为MSM结构紫外探测器基底材料的可能性。首先,以In203粉体、Ge02粉体为原料,利用碳还原共蒸发法制备In2Ge2O7薄膜材料,研究了退火条件对薄膜质量的影响,实验发现：薄膜在500℃出现了In2Ge2O7的结晶,但当温度达到700℃后出现了Ge02的结构,并且薄膜表面出现明显的粗糙和不平整现象；此外,随着退火时间的增加,薄膜内残余的In203消失,In2Ge2O7的XRD峰强增强,半高宽变窄,薄膜质量变好。通过退火条件参数优化,得出采用碳还原共蒸发法制备In2Ge2O7薄膜的优化退火温度在600℃左右。在优化退火温度下退火5小时的样品的所有XRD衍射峰均对应于单斜晶系的In2Ge2O7(JCPDS:26-0768, a=6.658A,b=8.784A,c=4.926A),显示所制备的薄膜为具有单一相的In2Ge2O7多晶薄膜。SEM表面分析显示所制备的In2Ge2O7薄膜表面平整、致密,适合紫外探测器的制作。反射率图谱分析表明薄膜在深紫外波段具有优秀的波长选择性。由XPS成分分析,薄膜表面In、Ge、O各元素的原子含量比为1：1.31：3.6,接近In2Ge2O7的1：1：3.5的比例。采用光刻工艺制备了基于In2Ge2O7薄膜的MSM结构的紫外探测器,并对其I-V特性和时间响应特性进行了测试。探测器的叉指电极电极宽度、电极间距、电极长度分别为20μm、30μm、800μm,叉指电极一共20对,一共40支,MSM电极尺寸为2000μm×1000μA,器件的光敏面积为1.36mm2。测试分析表明,器件具有明显的紫外光响应,5V偏压下,器件的暗电流、光电流分别为12μA、727μA,光电流与暗电流之比达到60倍。器件的响应时问较长,上升时间、下降时间分别为67s、15s。