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本文研究了多孔硅基片状及粉末状的制备方法及爆炸性能。采用高氯酸钠为氧化剂，制备了多孔硅/高氯酸钠复合含能材料。分析了其理化性质及各因素对多孔硅基含能材料的燃烧性能的影响，内容包括以下9个方面：（1）采用电阻率为0.020.03 cm-1的P型单晶硅片，以电化学阳极氧化法采用恒电流模式制备多孔硅基片，观察了电流密度、阳极氧化时间对孔隙率的影响。采用重量法计算出多孔硅层的孔隙率，发现制备的多孔硅层孔隙率可达到85%。（2）利用SEM、FT-IR等测试技术对多孔硅基片进行了结构及性能表征，发现多孔硅层表面孔隙分布均匀，表面存在大量的Si-Hx活性键。（3）采用正交实验的方法，筛选出HF：HNO3：H2O=3:1:15为制备多孔硅粉末的最佳腐蚀体系，经过单因素实验的完善，确定多孔硅（粉末）/高氯酸钠复合含能材料的最佳制备方案为腐蚀液配比为HF：HNO3：H2O=3:1:15，反应时间120min，搅拌速率180r/min，高氯酸钠：多孔硅粉末（质量比）=1:1。（4）以高氯酸钠为氧化剂，制备出多孔硅（基片）/高氯酸钠复合含能材料，对其进行电压感度测试，以Ni-Cr桥丝对样品起爆，电容大小为33μF时，多孔硅（基片）/高氯酸钠的发火电压为25V。（5）按照GJB772A-97标准对多孔硅（基片）/高氯酸钠进行摩擦感度测试，爆炸概率为84%。（6）比表面积测定显示，结合SEM测试结果发现，当反应时间为80min时，多孔硅粉的比表面积最大，但是起到抑制作用的孔径小于3nm的孔隙数量也多于120min所产出的多孔硅粉末样品，因此活性降低。（7）FT-IR测试发现新鲜制备多孔硅粉末表面存在大量的Si-Hx以及Si-O-Si。（8）利用堆积密度公式计算出多孔硅粉末的孔隙率，反应时间为40min、80min以及120min的样品孔隙率分别为52%、57.8%以及64.4%。（9）按照GJB772A-97对多孔硅（粉末）/高氯酸钠含能材料测试出三种样品撞击感度及摩擦感度的爆炸概率。