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溶液法制备薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)相比于传统制备方式的最大优势在于技术简单,具有低成本、简单设备和工艺、成膜均匀和大面积制备等优点而受到了越来越多的关注。本文以基于溶液法制备氧化铝(Al2O3)的薄膜晶体管为研究课题,以获得低电压驱动的高性能器件为目标,重点研究Al2O3绝缘层退火温度对TFT性能的影响,聚合物修饰绝缘层对器件性能的改善以及基于燃烧法低温制备Al2O3薄膜的器件的性能研究。研究内容主要分三部分:1.基于Al2O3绝缘层的TFT器件性能研究。采用高介电常数Al2O3作为绝缘层,研究不同退火温度下的绝缘层对并五苯TFT性能的影响。随着退火温度从150℃增加到350℃,器件性能发生明显变化。绝缘层退火温度为350℃时,器件具有最优性能迁移率高达0.375cm2/(V·s),开关电流比为5.17×103。器件性能的提升主要归因于高温退火下的绝缘层表面粗糙度低,在其上生长的并五苯结晶度提高和绝缘层/半导体层界面陷阱密度少。2.聚合物修饰绝缘层对器件性能的影响研究。在制备了低电压高性能的器件基础上,利用聚合物低界面极性的特性,研究了聚合物修饰绝缘层对器件的影响。与单Al2O3作为绝缘层的器件相比,结果表明使用PMMA修饰绝缘层后,器件性能得到提升,器件迁移率增加到0.496cm2/(V·s),电流开关比提高到5.43×104。器件性能提高归因于低介电常数聚合物修饰绝缘层可以优化表面粗糙度和降低界面极性,减少对载流子在传输过程中的束缚,同时降低界面陷阱密度。3.基于燃烧法制备绝缘层的TFT性能研究。通过在溶液中添加燃料,利用燃料在加热过程中放热反应,从而达到降低绝缘层退火温度的目的。在溶液中添加乙酰丙酮和氨水后,绝缘层退火温度降低到180℃。对薄膜进行I-V、C-V和AFM测试,证明燃烧法可以制备出性能良好的薄膜。在此基础上制备的TFT器件迁移率为0.291cm2/(V·s),电流开关比为8.69×102。基于聚合物修饰可提高器件性能,使用PMMA对绝缘层进行修饰,器件迁移率提高到0.385cm2/(V·s),电流开关比为2.74×103。最终实现溶液法低温制备低电压驱动薄膜晶体管。