【摘 要】
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SnO_2是一种宽禁带(Eg=3.6 eV)n型半导体材料,其物理化学性质稳定、具有优异的光电特性,因此,被广泛应用于气敏传感器、染料敏化太阳能电池、光电探测器及锂蓄电池等方面。此外,SnO_2在光催化降解染料废水,用作发光材料的基质等方面也表现出优异的特性。本文选取SnO_2基质为研究对象,采用水热法和沉淀法制备SnO_2及其复合物纳米材料,并对所合成材料的结构、形貌、光催化以及发光性能进行了分
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SnO_2是一种宽禁带(Eg=3.6 eV)n型半导体材料,其物理化学性质稳定、具有优异的光电特性,因此,被广泛应用于气敏传感器、染料敏化太阳能电池、光电探测器及锂蓄电池等方面。此外,SnO_2在光催化降解染料废水,用作发光材料的基质等方面也表现出优异的特性。本文选取SnO_2基质为研究对象,采用水热法和沉淀法制备SnO_2及其复合物纳米材料,并对所合成材料的结构、形貌、光催化以及发光性能进行了分析表征。本文的主要研究内容和结果如下:(1)以SnCl2×2H2O为原料、酒石酸为络合剂,采用水热法制备
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