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本工作的重点和创新点在于:1.探讨了单层OLED器件复合效率和I-V曲线的变化关系,提出了根据I-V曲线定性的判定单层OLED器件复合效率的依据和具体情况:在单载流子传输的情况下,且少子载流子的迁移率小于多子载流子的迁移率时;或双载流子平衡传输的情况下且两种载流子的迁移率接近时,复合效率对于I-V曲线和有机层内电场影响较大.在这种情况下可以通过I-V曲线的比较有效的判断复合效率的大小.2.研究了单层OLED器件复合效率和载流子迁移率的变化与器件电场和载流子浓度等电学性质的关系,并指明了变化的趋势:对于载流子平衡输运的OLED器件,可以认为其内部的电场和载流子浓度时均一的.当器件的复合效率一定,器件内平均电场的最大值出现在μ<,e>=μ<,h>,而且器件内的平均电场值在坐标系V-Log(μ<,e>/μ<,h>)中以Log(μ<,e>/μ<,h>)=0为对称中心呈对称分布.随着复合效率的变化,迁移率较低的载流子的平均浓度的变化远大于迁移率较高的载流子平均浓度的变化.对于单载流子输运的OLED器件,其内部的电场和载流子浓度单调变化,器件内电场的最大值位于少子载流子的注入端,向多子载流子的注入端单调下降.随着复合效率的变化,载流子迁移率不同的器件中的电场增加程度是不同的:两种载流子迁移率相等或相近的器件的电场量度的变化在10<13>V/m量级上;多子载流子迁移率大于少子载流子的迁移率的器件的电场变化量度在10<14>V/m量级上;而多子载流子迁移率小于少子载流子的迁移率的器件的电场变化量度仅在10<10>-10<11>V/m量级上.3.研究了加入空穴输运层的多层OLED器件的复合效率和I-V曲线的变化关系:在器件的复合效率不变的情况下,当空穴输运层的厚度一定时,随电子输运层厚度的增加,I-V曲线变化越平缓.而且空穴输运层越厚,电子输运层变化对I-V曲线的影响越小.同样,当电子输运层的厚度一定时,随空穴输运层厚度的增加,I-V曲线变化越平缓.而且空穴输运层越厚,电子输运层变化对I-V曲线的影响越小.