【摘 要】
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金属有机化学气相沉积（MOCVD）,是一种可制备各种高质量薄膜和外延薄层的技术.该文采用低压MOCVD技术,四异丙醇钛为MO源,于500℃下在n型（111）和（100）Si衬底上沉积生长了TiO薄膜.利用
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金属有机化学气相沉积（MOCVD）,是一种可制备各种高质量薄膜和外延薄层的技术.该文采用低压MOCVD技术,四异丙醇钛为MO源,于500℃下在n型（111）和（100）Si衬底上沉积生长了TiO<,2>薄膜.利用原子力显微镜研究TiO<,2>薄膜的生长机理,发现500℃下锐钛矿薄膜的沉积生长过程,属于均匀成核,岛状生长模式.对沉积TiO<,2>薄膜进行了退火热处理.并研究退火温度、时间、退火气氛对薄膜结构、形貌和电性能的影响.根据C-V曲线上的聚集态电容,计算了退火前后TiO<,2>薄膜的介电常数.该文采用金属有机化合物分解法制备了TiO<,2>-Bi<,2>O<,3>系列氧化物.采用XRD表征其结构,紫外-可见吸收光谱确定它们的光激发响应范围.并采用水溶液悬浮体系中紫外光照下对甲基橙的光催化降解,研究金属Bi离子掺杂对TiO<,2>的光催化活性的影响,以及TiO<,2>-Bi<,2>O<,3>体系的光催化活性.
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