随着无线局域网应用不断扩展,通信市场对无线收发芯片的需求急剧上升。通常,射频接收机结构以超外差为主,并采用SiGe技术的BICMOST艺进行射频收发模块的设计。这种方法最大的优点是具有极好的选择性和灵敏度,同时射频模块可完成高性能指标,但集成度及成本较高。近年来,随着移动通信的发展,成本和集成度成为无线局域网大规模推广应用的主要障碍,为了降低成本、提高集成度,需要采用Si技术的CMOS工艺来实现无线局域网射频芯片,同时接收机结构也越来越趋向于采用零中频接收机结构。基于WLAN802.11b接收机射频前端的CMOS实现方案,本文采用二次变频的零中频接收机结构,根据WLAN802.11b标准规定,推导出射频前端各模块基本指标参数,并以提高集成度,降低功耗,降低成本以及保留适当余量为原则,采用CMOS工艺设计低噪声放大器及低噪声混频器模块。接收机射频前端采用了1.8V的电源电压,在低功耗下设计低噪声放大器以及低噪声混频器,射频前端各模块的设计都考虑到了低功耗对直流工作点、增益和线性度的影响。各模块通过改进电路结构和设计合理的直流工作点,在低功耗下依然保持了良好的性能。通过分析MOSFET的各种噪声,重点研究特定功耗下输入匹配方法,得出PCSINM匹配方法满足模块的低功耗要求。并将此方法应用在基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计的低噪声放大器、低噪声放大器及混频器模块融合中,得到了较好的性能。分别采用Chartered 0.18μm CMOS及JAZZ 0.35μm BICMOS两种工艺设计了同种匹配结构的单端及差分低噪声放大器,分析了各自的仿真结果,并对JAZZ 0.18μm BICMOS设计的差分低噪声放大器版图进行了初步设计。最后给出了各个电路原理图的仿真结果并进行分析。