【摘 要】
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最近几年提出的记忆元件是对经典电路理论的再一次扩充,它包括忆阻器、忆容器和忆感器这三种具有记忆特性的新型元器件。这三种器件都体现出独特的非线性器件特性,其对应的v-i曲线、q-v曲线和i-φ曲线的状态特性取决于该器件的历史状态。因此,记忆元件凭借其独特的性质,在非线性科学、计算机存储、人工神经网络等领域引起新的研究热潮。为了便于记忆元件在电力电子领域内的应用研究,需要建立其模拟模型以到达仿真和实验
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最近几年提出的记忆元件是对经典电路理论的再一次扩充,它包括忆阻器、忆容器和忆感器这三种具有记忆特性的新型元器件。这三种器件都体现出独特的非线性器件特性,其对应的v-i曲线、q-v曲线和i-φ曲线的状态特性取决于该器件的历史状态。因此,记忆元件凭借其独特的性质,在非线性科学、计算机存储、人工神经网络等领域引起新的研究热潮。为了便于记忆元件在电力电子领域内的应用研究,需要建立其模拟模型以到达仿真和实验要求,并以此为基础为记忆元件在电力电子电路中进一步的探讨、应用奠定基础。本文主要针对记忆元件及其在电力电
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