氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料,在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用,尤其是在光伏发电领域,越来越受到各国的重视。然而,目前非晶硅薄膜的制备存在着薄膜沉积速率低、薄膜的均匀性不高以及薄膜的光敏性较低等问题,尤其是薄膜的光致衰退变化效应(SWE),严重的限制了它的进一步应用。因此,制备器件级的非晶硅薄膜成为氢化非晶硅进一步应用的关键。本文中, 我们利用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR-CVD)系统制备了氢化非晶硅薄膜,并且针对薄膜的沉积速率、均匀性、光敏性、光致衰退等方面进行了研究。对于薄膜的沉积速率的研究,前面小组成员加入了永磁体,从而显著提高了薄膜的沉积速率,我们又讨论了工作气压、热丝温度、衬底温度对沉积速率的影响,得到了与较高薄膜沉积速率相对应的参数;接着,分析了热丝和永磁体对薄膜的均匀性的影响。a-Si:H 薄膜中的氢和薄膜的光电性能有着密切的关系,因此对薄膜的光敏性和光致衰退变化的研究,我们从讨论薄膜中的氢含量开始。首先,我们讨论了有无热丝对薄膜中的氢含量以及对薄膜中的弯曲模和伸缩模的影响;接着,我们又对不同的热丝温度对薄膜的氢含量以及微结构的影响。最后,我们讨论了热丝对薄膜的光致衰退变化的影响以及与之对应的薄膜的微结构的变化。实验表明,永磁体对薄膜的均匀性带来了不利的影响,采用热丝辅助,提高了薄膜的均匀性,大大降低了a-Si:H 薄膜中的氢含量, 改善了薄膜的微结构,适当温度的热丝辅助下,可以得到光敏性(105)和稳定性较好的薄膜,但是较高的热丝温度使得非晶硅薄膜产生晶化,有的晶化的薄膜出现了反常SWE。