真空封装是微电子机械系统（MEMS）封装技术的重点研究内容,一些对工作环境要求较高的器件,腔体泄漏、材料放气等多种原因会导致腔体内部真空水平恶化,这会严重影响器件的性能甚至导致器件无法正常工作。为了使腔体内部压力水平满足工作要求,并保持长期稳定性,使用吸气剂是一种切实可行的方案。首先,本文在调研了大量相关文献的前提下,确定了选择钛基非蒸散型吸气剂作为研究对象。我们对使用直流磁控溅射制备Ti吸气剂薄膜进行了研究,发现薄膜的比表面积是影响吸气剂性能的重要参数,而薄膜沉积条件会直接影响钛基薄膜的比表面积。于是,通过系统地对溅射参数的调整,确定了最佳的工艺参数。结果表明,当溅射压强为25 mtorr,溅射功率为400 W,氩气流量为20 sccm,衬底温度为25℃时,薄膜具有最大的比表面积,为37.7±2.1 m~2/g。其次,由于吸气剂薄膜在空气暴露后表面极易氧化。为了改善这一问题,我们在吸气剂表面使用Au层作为保护层,阻止吸气剂表面直接与空气接触,并通过X射线能谱分析（EDS）实验验证了Au与Ti在高温下的相互扩散现象。本文通过X射线光电子能谱分析（XPS）测试,确定了最佳的保护层厚度,对于300 nm Ti薄膜,最佳保护层Au的厚度为8 nm。本文还利用XPS测试对吸气剂薄膜激活过程进行了分析,结果表明,随着加热温度升高,Ti膜表面成分从Ti O2逐渐向低价氧化物和金属Ti转变,Ti C的出现说明激活过程中存在中毒现象,Au/Ti薄膜则是通过Au与Ti的相互扩散直接完成激活过程。最后,我们对集成了Au/Ti吸气剂的样品进行了封装测试,比较了吸气剂对MEMS腔体内部残余气体成分的影响。结果表明,腔体内部残余水汽占有很大比重,其次为氮气,加入吸气剂后,腔体内残余气体含量显著降低,水汽降低为原来的22.3%,氮气降低为原来的13.2%,其他气体均有不同程度的降低,验证了吸气剂的吸附效果。