石墨烯锁模光纤器件设计制备及应用研究

来源 :上海交通大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:QUEEN_ZX
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
石墨烯自2004年发现以来,因其各方面的优良特性引起了科研人员的广泛关注和研究,并取得了一系列的突出成果。在光电领域,石墨烯的高透明性,高电子迁移率,强非线性克尔效应及可饱和吸收性等优良特性,使得它具有广泛的应用,如触摸屏,宽带光调制器,高速光电探测器,光起偏器,锁模激光器等等。这些优良特性大大提升了光电器件的带宽,速率,响应度等。其中最吸引人的就是利用石墨烯的强饱和吸收特性来制备波长无关的饱和吸收体,用于光纤激光器中实现锁模超短脉冲。如何增强石墨烯与光场的作用同时石墨烯简单而且可靠的转移的工艺是设计和制备基于光纤的石墨烯饱和吸收体关键点。为了增强石墨烯与光场的作用,提高饱和吸收特性和调制深度,我们提出了利用CVD石墨烯与侧面刨磨光纤结合的方案来制备石墨烯饱和吸收体,得到了插入损耗~12dB,调制深度~2.5%的石墨烯饱和吸收体。但这种制备方法会带来聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)残留,增大刨磨面处的光散射和吸收,增加饱和吸收体的损耗。为了克服上述问题,同时增强石墨烯饱和吸收体的起偏特性,我们提出了在CVD石墨烯上先蒸镀100nm的金膜同时起到增强起偏特性和作为石墨烯转移过程中的保护膜作用。此外,我们改进了刨磨光纤的打磨方式,提高了刨磨光纤固定的稳定性和刨磨面的平坦度。通过上面两方面的改进制备了插入损耗~5dB@1550nm调制深度14%的具有28dB@1550nm起偏特性的多功能饱和吸收体。分别利用制备的两种饱和吸收体获得了303fs,12nJ以及263fs,13.65nJ的孤子锁模脉冲。同时利用镀金膜的石墨烯饱和吸收体,对腔内色散进行管理后我们制备了一台105fs,7.4nJ,重复频率7.5MHz的石墨烯飞秒光纤激光器整机,并进行了稳定性测试。另外,利用镀金膜锁模器件的高起偏度特性,调节腔内偏振得到了光谱51nm宽的类噪声脉冲,将脉冲打入零色散高非线性光纤中得到了覆盖1000nm范围的超连续谱。此外,我们还对石墨烯饱和吸收镜的制备方法进行了一定的探索工作。如何提高石墨烯饱和吸收镜的调制深度是实现锁模的难题之一。
其他文献
图像信息对于人类认识世界是至关重要的。从古至今,人类便利用各种方式来记录所能遇见的美好事物。随着科技的发展,各类用于记录图像的设备相继问世,从早期的胶片相机到现在
随着科技的高速发展,毫米波辐射计广泛应用于遥感、探测、安检等重要领域,具有广阔的市场和巨大的商业价值。检波电路作为辐射计的核心部分,尤其是直接检波式电路,因其结构简
氧化铟(In2O3)是直接能带隙为3.55-3.75 eV的n型半导体材料,In2O3有两种晶型:立方晶系方铁锰型结构(C-In2O3)和六方晶系刚玉型结构(H-In2O3)。In2O3具有极高的电导率、存在着
单光子探测器为量子调控、激光遥感和超灵敏光谱等重大科学研究提供重要的探测器件,是发展具有战略意义的尖端高新技术的重要基础。然而,在测距的实际应用中,传统的单光子探
电力电子的发展对电力电子器件的额定电压范围提出了更高的要求。IGBT以其良好的开关性能成为了应用前景非常广阔的电力电子器件。然而,现有的IGBT的最大额定电压只有6.5kV。
自然界的电磁材料往往随频率呈现复杂变化,即具有电磁色散特性。本文结合数字信号处理相关技术和时域有限差分算法(FDTD)相关知识,对色散媒质的电磁散射问题进行了深入研究,
随着现代无线通信的迅猛发展,高带宽和高峰均比的基带信号通信系统的出现使得功率放大器的线性化技术受到越来越多的关注。本文基于正交多项式的功放数字预失真方案(DPD),实
微流控技术是一门涉及化学、流体物理、微电子、新材料、生物学和生物医学工程的新兴交叉学科。目前,微流控技术在生物医学、材料合成、药物筛选等领域具有广泛的应用前景。
随着测控系统的精度日益提高,对授时精度要求也越来越高。IRIG-B码授时技术作为一种较为成熟的授时方法,已经在军事、航天、电力系统得到广泛的应用。IRIG-B码是由美国国家靶
模拟电路故障仿真是复杂模拟电路设计的重要辅助手段,可分析和验证电路系统的健壮性或容错能力,并为改进系统设计、进行故障诊断等提供依据,同时也是逻辑测试中一个重要步骤