锆钛酸铅（PZT）材料因其优异的铁电、压电、热释电性，被广泛的用于制备各种传感器、换能器和驱动器。富锆型PZT在铁电低温三方相到高温三方相转变时，拥有较高的热释电系数，是重要的热释电材料之一。与体材料和薄膜相比厚膜在加工的过程中成品率高、性能稳定、成膜面积大有利于器件的微型化、集成化。丝网印刷法作为一种工艺简单、成本低、成膜面积大的厚膜制备技术被广泛应用。然而PZT材料致密成瓷温度较高（≥1200℃），PZT厚膜若在此高温下烧结易引起铅挥发和电学性能恶化。另外，随着电子器件向微型化、集成化和多功能化方向发展，低温共烧技术（LTCC）得到了广泛的关注，该技术要求电子材料能与银（Ag）、铜（Cu）等金属电极共烧。因此，降低厚膜烧结温度意义重大。本文的目标是将PZT厚膜的烧结温度降低到银的熔点以下，减少铅挥发，提高厚膜致密度，提升厚膜的电性能。首先，本文采用丝网印刷技术，通过添加Bi₂O₃-Li₂CO₃助烧剂将Pb(Zr_0.9Ti_0.1O₃厚膜制备在氧化铝基片上。研究了Bi₂O₃-Li₂CO₃的含量对厚膜的烧结温度、微观形貌、相结构、介电性能和热释电性能的影响。结果表明：适量Bi₂O₃-Li₂CO₃的添加，可以将PZT厚膜的烧结温度降低到1050℃，促进了晶粒的生长和厚膜的致密化，提高PZT厚膜的介电常数和热释电系数。当Bi₂O₃-Li₂CO₃的含量为6wt%时，厚膜样品在30℃时，热释电系数达到4.5×10^-8Ccm^-2K^-1，热释电探测率优值达到2.3×10^-5Pa^-1/2。在此基础上，为了进一步降低PZT厚膜的烧结温度以及抑制铅挥发，选用PbO和Bi₂O₃-Li₂CO₃作为共同助烧剂。研究了助烧剂含量对厚膜微观形貌、相结构、介电性能和热释电性能的影响。研究表明：随着PbO和Bi₂O₃-Li₂CO₃含量的增加，烧结温度从1100℃降低到了900℃，晶粒尺寸和晶格常数减小。当PbO含量为6.4wt%，Bi₂O₃-Li₂CO₃含量为5.4wt%时，PZT厚膜可在900℃下烧结，在30℃时具有最大的热释电系数10.51×10^-8Ccm^-2K^-1和最大的热释电探测率优值10.58×10^-5Pa^-1/2。针对富锆型PZT厚膜在应用过程中热释电温区过窄的问题，通过设计制备梯度厚膜得到了热释电温区较宽的PZT厚膜。热处理PZT粉体以抑制不同层组分粉体间的相互反应。制备出的梯度PZT厚膜在17℃³5℃宽温区内热释电系在5.5×10^-8Ccm^-2K^-1以上、热释电探测率优值在5×10^-5Pa^-1/2以上。