薄膜晶体管(TFT)是平板显示技术中的核心器件。像素及其驱动电路的设计需要调用合理的器件模型。高效和精准的器件模型有利于准确地预测电路的性能。电流模型是器件模型的核心,本文针对三种不同类型的薄膜晶体管电流模型的高阶效应进行研究,主要内容有:有机TFT的特点在于其制造成本最低,在柔性显示领域具有重要的应用前景。环境温度对有机TFT的影响较大。本文在解析计算表面势的基础上,建立了电流模型表征了有机TFT的温度特性。多晶硅TFT的特点在于其驱动能力强,在小尺寸高清显示领域得到广泛的应用。但器件工作时功耗较大,自身温度升高后出现自热效应,表现为器件工作在饱和区时,输出特性出现随漏压升高而降低。通过分析多晶硅TFT阈值电压和迁移率随温度的变化关系,建立了解析的包含自热效应的多晶硅TFT电流模型。非晶硅TFT的特点在于大面积均匀性好,在大尺寸显示领域广泛应用。串联电阻效应在非晶硅TFT中十分常见。本文基于非晶硅TFT中载流子为常数,考虑串联电阻随栅压的变化,建立了解析的电流模型。另外,基于热场发射机制,给出了一个泄漏电流模型。综上所述,本文对有机TFT建立了基于表面势的解析电流模型,表征了电流的温度特性;对多晶硅TFT电流的自热效应建立了基于阈值电压的解析模型;对非晶硅TFT中的串联电阻效应和泄漏电流建立了解析的模型。