随着集成电路在航空航天等特殊领域的广泛应用,其产品对抗静电放电(ESD)的要求越来越高,CMOS集成电路由于自身比较小的特征尺寸和比较低的电源电压,其ESD保护的重要性一直受到设计人员的重视。电阻、二极管、场效应晶体管、三极管、可控硅整流器等保护器件的有效应用使CMOS集成电路的ESD保护技术逐渐趋于成熟。然而,由于双极电路自身具有一定的抗ESD能力,使得双极电路的ESD保护还没有得到应有的重视,目前双极电路的ESD保护电压普遍在500V到2000V之间,这远远不能满足航空航天的需求。本论文针对目前双极电路的ESD保护需求,基于中国电子科技集团公司二十四研究所的标准双极工艺,在双极电路抗静电方面开展了如下的研究工作:1、针对双极模拟电路抗ESD的特点,提出了一种SCR结构,采用TCAD软件对SCR结构进行了模拟仿真,发现SCR结构中阳极与阴极之间的距离L对器件的触发电压影响较大,围绕器件的触发电压、保持电压和二次击穿电流等参数对器件进行了优化设计,并在2000V人体模型(HBM)下对ESD进行了混合信号模拟,得到了一种抗ESD电压大于6KV的SCR器件结构。2、基于B6035标准双极工艺,设计了七种不同L尺寸的SCR版图结构,并在中国电子科技集团公司二十四研究所的工艺线上进行了流片验证实验。3、采用中国电子科技集团公司二十四研究所的Key Tek Zapmaster静电测试仪对SCR单管样品进行了测试,所设计的七种不同L尺寸的SCR结构全部通过了8KV HBM模型测试,并已成为B6035工艺抗静电标准库单元,表明该SCR结构对提高双极电路抗ESD水平起到了积极的作用,为下一步研发抗高ESD电压的电路奠定了坚实的基础。