集成电路（IC-Integrated circuit）按照摩尔定律发展十分迅速，90nm~45nm的元器件已经开始工业规模化生产，目前正在研究的器件尺寸已经达到45nm以下，超大规模集成电路衬底的尺寸已经从φ200mm发展到φ300mm，目前已经达到φ400mm。随着IC特征尺寸不断缩小,硅片尺寸不断增大,IC工艺变得越来越复杂和精细。为了提高器件的可靠性和使用寿命，芯片金属互连也由铝互连向铜互连转移。而且对表面质量提出了更高的要求,要求表面必须进行全局平坦化,而铜互连化学机械抛光(CMP-Chemical-mechanicalPolishing)是目前唯一能够实现芯片全局平坦化的实用技术和核心技术。CMP是一种机械作用与化学作用有机地结合起来达到全局平坦化技术，而铜互连化学机械抛光液（Slurry）又是Cu互连CMP的关键要素之一，其性能直接影响CMP后表面的质量。本论文在分析Cu互连CMP抛光液的化学性能以及影响CMP效果因素的基础上，以如何优化Slurry各原料配比以及如何生产性能稳定的Slurry为主要内容。具体内容包括在介绍、分析Cu互连CMP工艺流程、Slurry对Cu布线的抛光机理的基础上，分析、研究Cu互连CMP Slurry各主要成分的作用以及对CMP效果的影响，然后进行各原料间配比优化实验。结合上述分析，从生产工艺流程、生产设备配置、生产注意要点控制等方面进行优化，得到了较好的经验和理论支持，最终能大批量生产出性能稳定的Cu互连CMPSlurry。最后本论文对Cu互连CMP Slurry发展趋势及技术挑战做了简要探讨。