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SiC具有优良的抗辐照性，作为宽带隙半导体材料，可用于制备抗辐照电子器件和辐照探测器，作为结构功能材料，SiC陶瓷和复合材料在聚变堆面向等离子体元件的制备方面具有巨大的应用潜力。这些产品在使用过程中因受到载能粒子的辐照而产生大量的缺陷，进而导致各种性能退化。所以充分认识辐照缺陷的形成机制、微观构型及其对宏观物性的影响非常重要。本文利用拉曼光谱和X射线衍射研究了1.72×1019和1.67×1020n/cm2中子辐照的6H-SiC，详细结果如下：1.检测到与Si-Si振动有关的189、275、437和539cm-1峰，与Si-C振动有关的610、657和712cm-1峰，和与C-C振动有关的1420cm-1峰。大注量辐照后，还检测到1357和1603cm-1峰，它们分别属于无序石墨的A1g和E2g振动模。这些散射峰证明辐照导致SiC中形成了Si原子团、sp2/sp3C团和石墨团。2.辐照导致FTO2/6和FLO0/6光学峰在低波数区域出现了拖尾，这是辐照缺陷引起的声子限制效应。辐照导致FTO2/6和FLO0/6峰向低波数方向发生了不同程度的偏移，造成FLO0/6-FTO2/6劈裂减小，这主要归因于VC和VSi缺陷。3.对辐照缺陷进行热稳定性分析，发现Si原子团、sp2/sp3C团和石墨团分别在1100、1000和800℃退火后消失。退火过程中还检测到575cm-1峰，它在800℃退火后首次出现，1400℃退火后消失，应该属于CSiVC缺陷的Si-C振动。4.石墨团的产生强烈地依赖于辐照注量和故意掺杂的N杂质。本质上，诱导石墨团产生的是N聚集体而不是NC施主。在中子辐照过程中，N聚集体可以形成CSi(NC)2缔合体，它具有sp2C=C原子对，可起到石墨晶核的作用。5.辐照前预退火处理导致石墨团的浓度显著地降低，经过1000℃预退火处理的样品几乎不能产生石墨团。主要原因是：预退火处理导致N聚集体发生分解，辐照过程不能再形成石墨晶核sp2C=C原子对。6. X射线衍射法和透射电子显微镜分析法揭示，经过这两种注量辐照的SiC含有的缺陷类型主要是点缺陷、缺陷团和非晶区。7.利用X射线衍射法分析了（006）衍射峰的退火回复规律，发现衍射FWHM（半高宽）回复过程分为三个阶段：200-800℃、800-1400℃和1400-1600℃。8.利用（006）衍射峰FWHM的退火回复规律，开发出辐照SiC晶体测温技术。通过具体试验证实，这种测温技术可以对工作在900-1600℃范围内的部件进行最高温的测定，相对误差在3%以内。