高功率微波是上个世纪60年代在美国的一次高空核爆中首次发现的强电磁脉冲,高功率微波的特点是其峰值功率非常高(大于100MW),中心频率很高(1GHz-300GHz)、脉冲宽度短(几十纳秒)。低噪声放大器是射频系统的核心模块之一,低噪声放大器是具有低噪声指数和高信号灵敏度的元件,被广泛应用在通信系统、电视系统、移动通信系统、雷达系统、微波遥感系统、导航系统、无线电系统和其他电子系统。同时,由于低噪声放大器处于接收链路中天线后的第一级,如果不做防护措施会极易受到高功率微波辐射而引起损伤,导致整个通信系统瘫痪,所以对高功率微波对低噪声放大器等半导体器件的损伤效应的分析研究和防护电路的设计具有很大的实际意义。本文首先详细阐述了高功率微波的研究背景与意义以及国内外对高功率微波的研究发展现状,然后从理论上分析了高功率微波对功率半导体器件的击穿机理进行较详细的研究和分析,然后介绍了高功率微波注入实验平台的搭建以及介绍实验方案,对高功率微波对低噪声放大器的损毁实验进行归纳,最后介绍一种对高能量电磁脉冲有效的防护电路,并通过实验和软件仿真进行验证和分析。