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立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族元素反应、宽的波长(从红外到紫外光谱)范围内很好的透光性、可实现n型和p型掺杂等。立方氮化硼(c-BN)薄膜在力学、热学、光学、电子学等方面有着非常诱人的应用前景,多年来一直吸引着国内外众多研究者的兴趣。本文采用射频磁控溅射法研究了镍过渡层上c-BN薄膜的制备、h-BN薄膜的原位掺硫、及h-BN/Si n-p薄膜异质结。运用射频磁控溅射系统