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随着磁性材料的广泛应用,新型磁致伸缩材料的发现使磁致伸缩材料应用成为可能,磁致伸缩材料的研究受到广泛关注,其中以FeGaB薄膜为代表的磁致伸缩材料成为了研究的热点。FeGaB薄膜材料由于其适中的单晶磁致伸缩常数,不含稀土元素,价格低廉,韧性很好,可以承受拉应力和剪应力,低的饱和磁矩等特性对于制备有实用价值的磁电复合器件提供了很好的基础。可是由于FeGaB薄膜属于金属合金薄膜,涡流损耗比较大,限制了FeGaB薄膜材料的使用频率。本文针对FeGaB薄膜材料只能应用在较低频率这一巨大限制,在单层FeGaB薄膜中加入Al2O3薄膜绝缘层,并对制备工艺进行研究以得到较高质量的多层FeGaB薄膜。首先对单层磁致伸缩薄膜的性能和制备工艺加以研究。分别使用单FeGaB合金靶溅射法和FeGa合金靶和单质硼（B）靶共溅射法制备FeGaB薄膜,研究两种方法下溅射功率,溅射气压以及硼（B）含量对FeGaB薄膜性能以及沉积速率的影响,并分别找到两种溅射方法的最优制备工艺参数,对各自最优制备工艺参数条件下制备出的FeGaB薄膜性能进行比较,采用共溅射设法,当直流和射频靶位的溅射功率都为40W,溅射气压为19sccm时,此时得到的FeGaB薄膜磁致伸缩系数38ppm,矫顽力为3.1Oe。然后对绝缘层薄膜的性能和制备工艺进行研究。分别研究了溅射功率,溅射气压,氩氧流量比,和基片温度这四个工艺参数对Al2O3薄膜性能和沉积速率的影响,当溅射功率为50W氩氧体积比为9:1,溅射气压为16sccm,基片温度为60℃时,Al2O3薄膜的电阻率为8.7×1014Ω.m,沉积速率为28.5nm/h。最后利用得到的最优工艺参数交替制备单层FeGaB薄膜和Al2O3薄膜,得到性能良好的多层FeGaB薄膜,并研究了退火温度对多层FeGaB薄膜性能的影响。在50℃的退火温度下退火4h,多层FeGaB薄膜矫顽力为4.5Oe,磁致伸缩系数为36ppm。通过对多层FeGaB薄膜制备工艺参数的研究,对于FeGaB薄膜应用于较高频率下的磁电耦合器件提供了基础,对未来磁电耦合器件的发展有一定意义。