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由于高吸收、超薄厚度、频率选择性和设计灵活性等优势,超材料(Metamaterials,MM)吸收器在微波、光波尤其是太赫兹(THz)波段备受关注。超材料吸收器的厚度只有工作波长的1/20,而且理论上可以实现对电磁波的完美吸收。在N.I.Landy等人首次提出了完美吸收器结构之后,研究人员对超材料吸收器的研究从追求更高的吸收率到宽角度入射及极化不敏感等。然而,上述大多数MM吸收器都工作在一个相当窄的频段内,这限制了吸收器在很多领域的应用,比如隐身技术或者能量采集等。目前,对宽频THz超材料吸收器的需求却越来越多。但是,目前基本上所有基于超材料结构的电磁波吸收器都是被动式的,一旦制备完成之后,其吸收性能也就确定了。而日益复杂的电磁应用环境需要的是主动式的可调谐的电磁超材料吸收器,比如可以根据电磁环境的变化控制电磁超材料吸收器对电磁波的吸收率等。本文主要对宽频超材料吸收器及可调谐超材料吸收器进行了研究。首先,结合两种不同尺寸的正方形周期阵列,制备出了工作在太赫兹频段的宽频超材料吸收器。将二氧化硅(SiO2)薄膜而不是传统的聚酰亚胺(PI)层作为金属铝阵列与连续金属铂薄膜的隔离层,这大大提高了设计精度和实验的可行性。其次,本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器。该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构。采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0~10 THz波段内的吸收率A(?),在2~10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收。最后,本文在现有的基于超材料结构的三层式电磁波吸收器的基础上,添加一层二氧化钒(VO2)相变薄膜设计并研制出一种可调谐的电磁超材料吸收器。利用热、电、光等触发二氧化钒薄膜的绝缘-金属相变特性,可以控制电磁超材料吸收器的吸收率,理论上对吸收幅度的调制深度可以高达70%。可调谐吸收器可以用于太赫兹波的隐身技术、热辐射、波谱探测和电磁保护等。