在过去的几十年中,氮化硼（BN）由于其卓越的特性和新颖的晶体结构在多个领域有着广泛的应用。这些应用包括绝缘润滑剂、气体存储材料、研磨切割以及在半导体领域。特别是由于氮化具有较宽的带隙,在半导体领域得到人们越来越多的关注。高质量的BN膜的获得是一项挑战。因为制备过程需要在高温、高压和其它严格条件下进行,因此很难控制所涉及的参数。低温生长条件下制备BN薄膜仍然没有很好的研究成果报道。在本文中,我们在室温中通过RF溅射在p型Si（111）衬底上沉积了薄膜BN,溅射功率为120 W,溅射气氛为Ar,溅射时间60分钟到300分钟。X射线衍射谱没有相应的BN衍射峰。拉曼光谱显示,生长的BN具有与h-BN相一致的波数,即1370 cm-1,与BN的E2g振动值比较相符。这些结果表明我们得到的为非晶BN薄膜。接下来利用溅射的BN薄膜制备了金属-绝缘体-半导体（MIS）结构,测试了薄膜的绝缘性能。薄膜的击穿场强高达14.96 MV/cm,薄膜的最低介电常数为2.61,显示出在集成电路领域极大的应用潜力。BN的绝缘特性使其在新型电阻式随机存取存储器（RRAM）方面有着巨大的应用潜力。然而,在有关基于BN的RRAM的报道中,通常缺乏大尺寸、保留时间较长,缺乏高电阻和低电阻状态且耐久性较差的情况。本实验中,采用NH3BH3做为源材料,利用化学气相沉积技术在2英寸硅衬底上合成了 sp2-BN薄膜,并制备了 Au/sp2-BN/Si结构的RRAM器件,对其阻变特性进行了研究。在2英寸衬底上制备的器件显示出良好的器件均匀的一致性。经过1000循环测试,单个器件性能下降很小,表明器件具有良好的耐受性。经过测试,数据的保持时间大于1×104s,SET电压在1.475V与2.225V之间。该器件的阻变特性可以用B空位诱导的VCM导电机制来解释。在本文的后半部分,我们研究了铜箔上BN的生长特性。BN的成核密度和位置直接取决于Cu的表面形态。结果表明BN在铜箔基底上成功生长。