半导体微腔量子光学性质的研究

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本文重点研究了半导体微腔系统的量子光学性质,其内容大致分成四章.第一章中我们系统地介绍了光激发半导体系统中的激子态.在第二章中,我们研究了半导体微腔中激子-极化子的发射强度随时间的变化规律,利用旋转波近似给出了光场强度的近似解析表达式.结果表明,有效的激子-激子相互作用将导致光场强度偏离类拉比振荡,而呈现新奇的坍塌和复现现象.另外,发射强度的复现时间依赖于激子初态,相干态情况下复现时间是数态情况的两倍,这一结果有利于在实验中测量激子的量子态.第三章为本文的重点,其中我们进一步研究了失谐量和相空间填充效应对半导体微腔中激子-极化子发射强度的影响,利用久期近似给出了激子相干态和数态情况下光场强度的近似解析表达式,我们的主要结论是:第一、有效的激子-激子相互作用将导致发射强度呈现坍塌和复现现象;第二、激子-极化子的衰减将导致复现振幅减小,但是不改变复现时间;第三、失谐量和相空间填充效应将同时改变复现时间和复现振幅,进而破坏复现时间的两倍关系;第四、在共振情况下,可以消除相空间填充效应对复现时间的影响,进而复现时间的两倍关系依然成立.最后,我们在第四章对全文作了简单的总结和展望.
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