近年来，由于一维半导体纳/微米结构具备良好的性能以及在纳米光电器件中应用前景的广泛性，使得对一维半导体纳/微米结构材料的研究已经逐渐深入。文献上曾经报道，无机纳/微米结构材料的化学性能和光电性能与它们的形貌之间存在着密切的联系，因此从科技观点上考虑，可控合成具有不同形貌的一维半导体纳/微米结构非常重要。氧化锌（ZnO）是直接带隙宽禁带半导体材料中的重要一员，在紫外光电器件方面应用潜力十分巨大。如果将ZnO制备成一维的纳/微米结构材料，可期望它在室温紫外发射、光电器件、传感器、光催化剂、压电能量转换器、太阳能电池以及场发射器件等诸多领域都发挥出极其优异的性能。硫化锌（ZnS）是一种直接宽带隙半导体材料，在场质发光、非线性光学器件、发光二极管、平板显示、红外探测器、气敏感传感器、激光器等领域应用广泛。半导体复合结构的各个组分具有不同的能带隙和介电常数，当不同带隙的半导体材料复合时会产生新的电子能级和能带隙，形成新的电子-空穴复合中心，改变载流子的复合路径，从而展示更高、更强的功能特性。本论文利用溶液路线在Zn基片上一步合成并控制生长了ZnO、ZnS、ZnO/ZnS纳/微米阵列；研究了反应条件以及表面活性剂对产物的形貌和尺寸的调控作用。比较了不同尺寸和形貌ZnS纳米材料的发光性质以及ZnO、ZnS、ZnO/ZnS复合结构几种阵列材料的发光性质，发现合成的ZnO/ZnS复合结构具有与单组份不同的发光性质。