经颅磁刺激（Transcranial magnetic stimulation,TMS）是一项非侵入、无痛无创的检测和治疗技术,在生物磁学、精神医学临床和脑基础研究等领域具有广阔的发展空间。然而现有的磁刺激仪器大部分是单通道的,而且存在聚焦性差、刺激靶位点单一及电流脉冲参数不可调等问题。磁场发生器是经颅磁刺激仪器的核心,直接决定了磁刺激仪的刺激模式和应用范围。本文结合绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）优良的可控性,提出一款脉冲参数可控型多通道磁场发生器的原理拓扑。首先,本文从多靶位同时刺激、电流脉冲参数可控的角度出发,整合不同TMS电路拓扑的优点,提出一种新颖的脉冲参数可控型多通道磁场发生器电路拓扑。该拓扑结构采用多个通道分别控制多个刺激线圈,每一个线圈都由一个专用的通道进行控制,而且每个通道线圈内电流脉冲的幅值、宽度等参数可以实现调节,提高了系统的灵活性。然后,针对提出的新型拓扑结构进行详细的原理分析,实际绕制圆形的刺激线圈并对其参数进行精确测量。根据测量的数据,结合TMS的设计原则确定主电路相关器件的参数,并利用Matlab对储能电容的电压和线圈的电流进行计算仿真。计算仿真的结果表明,线圈内电流的幅值、脉宽参数可以通过放电开关的导通时间进行调节。最后,实际搭建单通道的平台,对主电路进行布局优化,有效减少了杂散电感。针对放电开关关断过程中出现的尖峰脉冲电压,设计相应的缓冲电路进行抑制。根据控制时序要求,设计稳定可靠的控制系统,联合主电路进行调试。测试结果表明,刺激线圈内可以产生近似三角形的电流脉冲,且脉冲的幅值和宽度可以通过控制放电开关的导通时间进行调节,可调宽度范围为5μs-160μs。当脉冲宽度t_pw=160μs时,刺激线圈的电流峰值为941.2A,同理论计算的950.4A相符合。