本论文研究了光电功能有机分子的超高密度信息存储。设计并合成了具有推拉电子基团的有机分子2-((5-(5-(4-(dim-tolylamino)phenyl)thiophen-2-yl)Thiophen-2-yl)methylene)malononitrile(TPTTMM)和2-((5-(5-(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)thiophen-2-yl)thiophen-2-yl)methylene)malononitrile(CPTTMM)。通过在STM针尖和高定向裂解石墨衬底间施加脉冲电压，在TPTTMM和CPTTMM薄膜上实现了纳米信息点的写入，信息点平均的直径分别为4.0nm和8.0nm。理论计算表明形成信息点的原因是分子间电荷的转移。本工作为进一步通过基团优化开发设计可逆的超高密度信息存储材料提供了新的思路。为了研究分子共平面性对信息存储的影响作用，我们又设计并合成了具有推拉电子基团的有机分子T，这种材料也具有不可逆的光致变色行为，可用做光存储材料；运用STM技术可以在其薄膜上实现纳米尺度信息点的写入，可用做电学信息存储材料。结果表明共面性太好不利于电荷转移的稳定性，从而不利于信息存储的研究，平面性太差会使电子离域程度下降，形成不可逆的信息存储。因此控制好平面的程度对可逆信息的存储有一定的作用。