氢对PECVD法制备硅基薄膜沉积速率、膜结构及性能的影响

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硅基薄膜作为一类重要的光电功能材料,由于其独特的性能,使其在新能源、信息显示、光敏器件等高科技领域具有十分重要的应用价值。当前,氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜已经广泛应用于太阳能电池、液晶显示等领域。但是由于其含有大量的缺陷态(主要是悬挂键),使其在实际应用方面受到一定限制,其中最主要的问题是光致衰退效应。各国研究人员经过大量研究,逐渐认识到氢对硅基薄膜的结构和性能有非常重要的影响作用。一方面,氢以单氢化合物(Si-H)的方式与硅基薄膜相结合,起饱和薄膜中悬挂键的作用。这使得氢化非晶硅的缺陷态密度比
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