【摘 要】
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研制了一系列镧、钡等离子改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O(PZST)基反铁电陶瓷,发展 出了含钡的PBZST两个具有不同场诱相变特征的反铁电材料体系.这种反铁电陶瓷可用于微 型位移驱动器、
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研制了一系列镧、钡等离子改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O<,3>(PZST)基反铁电陶瓷,发展 出了含钡的PBZST两个具有不同场诱相变特征的反铁电材料体系.这种反铁电陶瓷可用于微 型位移驱动器、引燃引爆、换能等领域.作为研制,改性反铁电陶瓷的基础,首先在2mol%La改性的PZST相图中制备了不同Zr/Sn比(平行于AFE<,t>/FE<,R>相界,Ti含量一定)、不同Sn/Ti比(空越相界,Zr含量一定)的相界陶瓷.进一步研究表明,电场诱导的AFE-FE相变临界场E<,f>与相变温度T<,FA>有关,T<,FA>越低,E<,f>越大;而双电滞回线的电滞△E与相变 温度T<,c>有关,T<,c>越低,△E越小.采用La<3+>置换Pb<2+>有效的抑制材料的铁电性 ,扩大了四方反铁电相区,但是La对反铁电相变温度T<,c>的抑制作用远小于它对铁电相变 温度的影响.研究了La改性(Pb<,1-x>La<,2x/3>)(Zr,Sn,Ti)O<,3>(x=0.06)(PLZST)FE<,R>/AFE<,T>相界陶瓷的介电性质和场诱相变性质.用X-ray衍射直接表征了四方反铁电相在电场诱导下转变为三方铁电相时晶格参数的变化.研究不同Ti含量下,FE/AFE相界陶瓷的介电、热释电和热学性质.
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