AlGaN/GaN上STO薄膜的制备以及电学性能研究

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钛酸锶(SrTiO3)是一种典型的钙钛矿结构介电材料,具有介电常数很高、介电损耗低、温度稳定性好的特点,被广泛应用于各种电子器件。GaN是第三代半导体,具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、导热性能好等特点,其优异的电学性能在大功率、高温高频和高速半导体器件中有着不可替代的作用。通过调制掺杂后形成的AlGaN/GaN异质结具有很高的载流子浓度和电子迁移率,在低噪声高电子迁移率晶体管(HEMT)中有着极为广泛的应用。将介电材料SrTiO3与AlGaN/GaN通过固态薄膜的形式生长在一起,形成介电/半导体
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