超材料光场调控与光学多参量探测的理论与技术研究

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:oskarguan
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
超材料和超表面作为人工电磁材料,具有自然介质所不具备的新颖电磁特性。其利用微结构阵列与电磁波的相互作用可以实现对电磁波振幅、偏振和相位等特性的有效操控。相比于传统光学元件,超材料和超表面在光场调控方面具有结构紧凑、调控灵活、功能新颖等特点。此外,由于光强、偏振和相位作为光波的基本参量均可由被测信息加载或调制,因此光能够为人们提供一种多维度的信息探测手段。然而传统的偏振和相位探测方法通常光路复杂、分立器件较多且不易集成,超材料和超表面在光场调控方面的独特优势则为设计结构简单、集成度高的光学多参量探测系统提供了新的研究思路。
  本论文围绕超材料和超表面在光场调控和光学多参量探测方面的相关理论和技术展开研究,主要研究成果和创新点如下:
  (1)研究了金属螺旋超材料对透射圆偏振光的相位调控能力。首次理论上系统研究了螺旋超材料各个结构参数对透射圆偏光相位的影响,发现了一种简单有效的相位调控方式。并提出了一种复合螺旋超材料结构,在保持相位调控能力的同时具有较高的圆偏光转换率。
  (2)首次设计并实验验证了一种能够实现光学多参量同时探测的超表面透镜阵列。该超透镜阵列工作在1550nm波长,能够将透射光中6种不同的偏振分量汇聚在焦平面上不同焦点处,通过测量聚焦光斑的强度以及质心位置信息,能够得到光束的偏振和相位分布。实验结果显示该透镜阵列的平均聚焦效率可达28%,偏振态、波前相位探测相对误差分别可达4.83%、8.0%。
  (3)深入开展了超表面透镜阵列的优化设计与实验研究。通过将超表面透镜阵列中子透镜个数由6个减小为4个,对组成超表面透镜的单元结构选取方案进行优化,使得透镜阵列结构空间分辨率提高了近1.5倍,聚焦效率也进一步提升。实验结果显示,优化后超透镜阵列的平均聚焦效率可达48%,偏振态、波前相位探测相对误差分别可达4.24%、6.4%。
  (4)基于优化后的设计思路,分别给出了中波红外4μm和长波红外10μm的超表面透镜阵列的设计方案,仿真结果显示其具有良好的光学特性,平均聚焦效率分别为69%和77%,偏振态测量相对误差分别为0.47%与0.024%。这一研究结果表明,本论文中提出的光学多参量探测方法适用于光波的任意波段,该方法的提出对光学的诸多领域都具有较高的科研意义与应用价值。
其他文献
新零售业的出现和迅速发展,衍生出许多新的无人实体形式,基于视觉的智能货柜作为一种小型便利实体,正在逐步替代自动贩卖机,其机械装置少损坏率低,开门选购灵活方便,无需等待,具有良好的发展潜力。智能货柜场景多变导致环境光线变化大、开门阶段柜门运动使得背景不稳定、视频图像中存在许多无关运动区域、交易过程中商品有拿取有放回,这些特征导致该场景中的商品识别率低,目前尚无完善的技术方案,因此需要针对实际场景需求
学位
随着信息技术的飞速发展,存储系统需要更大的容量和更高的可靠性。3DNAND闪存作为新一代闪存技术通过立体堆叠提高存储密度,但其寿命即可使用编程/擦除(Program/Erase,P/E)循环数却大幅减小,寿命限制带来的可靠性问题日益严重。制造商采用随机抽样和破坏性测试的方法制定闪存芯片寿命标称值,这与实际使用寿命存在较大差异。一方面可靠性无法保障,另一方面存储容量没有充分利用,因此迫切需要新的方法
学位
碳化硅(S iC)具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高、电子饱和速度快等优点,非常适合应用在高温、高压、大功率等领域中。二极管作为重要的功率器件之一,需要具备导通电阻小、开关速度快,阻断电压高的特点,因此肖特基势垒二极管(SBD)和结势垒肖特基(JBS)二极管在功率电子领域具有极大的应用潜力。国内对于SiC的研究起步较晚,在工艺和设计方面还需要继续追赶。针对这一现状,本文主要对SiCSBD和J
近年来,二维材料以其优良的特性成为半导体研究领域中的焦点。而作为过渡金属硫化物(TMDCs)中本征双极性材料,单层二硒化钨(WSe2)的厚度为0.7nm,拥有1.65eV的直接带隙宽度,这使其在低功耗、高性能数字逻辑方面有广泛的应用前景。为了满足大规模应用的需求,如何实现大面积且高质量二硒化钨的可控合成,成为了现今二硒化钨领域的研究热点。本文围绕单层二硒化钨薄膜的可控生长、材料特性以及电学特性方面
各向异性磁电阻(AMR)传感器凭借其在低频噪声、工艺、成本和磁场方向探测等方面的突出优势占有着广阔的应用市场。目前,以坡莫合金为磁敏感材料的AMR传感器的量程只有10Oe,限制了其测量更大的磁场。另外,一般AMR电阻条需要具有单轴各向异性,具有四重对称磁各向异性等其它磁各向异性的材料即使具有较强的AMR,一般也无法用于磁传感。然而,基于多铁效应,有望通过外加电场实现四重对称磁各向异性向单轴各向异性
呼吸率能反映人体供养情况,是临床监护重要的生理指标之一,传统呼吸率检测方法有气流法;阻抗法;呼吸音法。这些方法需要使用呼吸罩等专用设备,长时间的测量会给病人带来不适,且操作复杂,便携性差,不适合用于可穿戴设备。因此,研究一种面向可穿戴设备的呼吸率检测算法十分具有意义。基于光电容积脉搏波(PPG)的呼吸率检测算法具有安全,经济,操作简单的优势,且PPG的检测带来的不适非常小,适合长时间检测,与可穿戴
当今微电子产业的发展已进入后摩尔时代,硅基MOSFET受限于短沟道效应等因素,其等比例尺寸可能会在五年内停止缩小。碳纳米管(CNT)性能优异,CNTFET因低功耗和高集成度而受到广泛关注,被视为Si沟道最具潜力的替代者。为便于CNTFET电路的设计,建立与现有EDA平台如SPICE兼容的CNTFET的紧凑模型是非常必要的。  本文提出了一种顶栅CNTFET的紧凑模型,它基于现有的斯坦福大学模型,原
薄片激光增益镜由高径厚比激光晶体焊接在高导热金属或非金属热沉上构成,是激光器中产生受激辐射光放大的核心器件。在端面均匀泵浦和背面高效冷却时,薄片激光增益介质内的热流方向近似垂直于薄片介质端面,热沉对薄片激光介质的热形变也具有抑制作用,保证了薄片激光器高平均功率、高光束质量运行。相对于板条和光纤等形状的激光增益介质,薄片激光增益介质由于激光光斑面积大、峰值功率密度低、增益介质薄等特点,使得激光脉冲在
按照摩尔定律,硅互补金属氧化物半导体器件的尺寸现在已经缩小到7nm,在硅器件的规模逐渐接近其基本极限的同时,也出现了越来越多的挑战。制造更小更好的硅晶体管越来越困难。引入高迁移率窄带隙的非硅沟道材料来提高器件性能是后摩尔时代新器件的主要发展方向之一。锗、二维黑磷、InGaAs等半导体具有较窄的禁带宽度以及优异的载流子迁移率,适合做成高速低功耗器件。然而,由于高k栅介质与这三种窄带隙半导体的界面陷阱
近年来,随着我国对海洋战略价值认识的深化和面临的海洋权益争夺的日益加剧,建设海洋强国成为越来越重要的发展战略。其中,智能化海洋监测能力的建设,包括对海洋水体水质参数信息的测量和对水下景物深度分布信息的感知,是全面开发海洋经济、提升可持续远洋活动能力的必备基础。本论文依托课题组承接的国防“十二五”总装备部预先研究项目“基于XX技术的XX目标检测”,研制了一套可同时在线测量水体环境pH值、盐度参数并集