余局部化与相对盖包

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本文考虑余遗传挠理论,给出了其上的模的余局部化,并对从模范畴推广到挠理论上的内射,投射性进行研究.介绍了一些挠理论的基本概念与性质.这些结论主要是挠理论的结果,可以在[3,4]文献中查到.对余遗传挠对进行探讨,证明了在Jansian环R-模范畴上所有余遗传挠对构成的集合R-Ctors是一个格,并对R-Ctors给出一些格上的性质利用F-投射模给出模M关于余遗传挠对(T,F)的余局部化的具体形式P/c(K),其中P是M的投射盖,K是h:P→M的核,c是幂等根函子,c:R-Mod→R-Mod使得M∈T()c(M)=M.我们记pσ(M)=P/c(K).并给出了pσ的一些范畴性质.   本文通过Q取τ-内射性,τ-投射性,τ-可除性和τ-余可除性,分别得到相应的包和盖概念.讨论τ-挠内射包,τ-挠投射盖,τ-挠自由可除包和τ-挠自由余可除盖的性质,并利用它们刻划了τ-内射包Eτ(M)。   
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