铁电陶瓷材料是一类具有铁电效应的功能新型陶瓷材料,具有贮存性能稳定、放电速度快和储能密度高等优点,在众多电子科技等相关技术领域具都有广泛的应用。本文研究了过量的氧化铋对Ba Bi₂Ta₂O₉（BBT）陶瓷[BBT-x%（x=1、3、5、7）]的晶体结构变化、介电性能和铁电性能的影响,x=1、3、5和7陶瓷的相变温度T_m分别为92oC、88oC、82oC和76oC;低温段的弛豫激活能分别为0.706 e V、0.713 e V、0.793 e V和0.880 e V,高温段的弛豫激活能分别为1.028 e V、1.018 e V、0.906 e V和0.884 e V,低温段是由氧空位引起的,高温段的激活能是由氧空位的长程迁移导致的。铁电性能测试发现,BBT-1%的储能密度在室温和高温环境下,都是最大,说明掺杂过量的氧化铋,提高铁电性能。采用固相反应法制备了Ta掺杂的0.94Bi_0.5Na_0.5Ti O₃-0.06Ba Ti O₃[（1-x）（0.94BNT-0.06BT）-x Ta（x=0.00-0.02）]陶瓷。拉曼光谱表明Ta₂O₅浓度对局部结构有影响,低温弛豫现象符合V-F定律,随着Ta的浓度增加,体系的激活能逐渐增加,表明极性团簇或极性纳米区（PNRs）之间的耦合变弱。陶瓷样品x=0、0.005、0.01、0.02变温阻抗谱的弛豫激活能E_a分别为0.62 e V、0.84 e V、1.15 e V和1.20 e V,对应的电导激活能E_con分别为0.56 e V、0.72 e V、0.89 e V和0.90 e V,分析可知介电弛豫行为与氧空位的迁移有关。掺杂Ta的量为0和0.005的电滞回线可以达到饱和,出现极化电流峰,增加温度时,在恒定电场下会出现多个电流峰。采用溶胶-凝胶法制备了PbA1₂O₄陶瓷粉末,再用固相烧结法制备陶瓷样品,通过XRD可以发现,Pb A1₂O₄陶瓷为空间群Ama2的正交结构。烧结温度为850oC,900oC,950oC的陶瓷的弛豫频率激活能分别为0.191 eV、0.176 eV和0.175e V,电导激活能分别为0.20 e V、0.193 e V和0.176 e V,激活能的差异跟Pb的挥发有关。Pb A1₂O₄陶瓷的极化强度很小,储能密度室温下为0.0178 J/cm³。另外,通过第一性原理计算得到Pb A1₂O₄陶瓷的能带结构和紫外吸收光谱计算陶瓷的禁带宽度分别为3.943 e V和3.82 e V。采用传统固相法制备了SrNb₆O₁₆陶瓷样品,样品的介电常数较高,通过Arrhenius关系可以得到在高温高频和低温低频处激活能分别为0.409 e V和0.927e V,分别是由电导引起的是势垒能引起的,但该陶瓷的介电损耗和储能损耗较大。