尽管硅(Si)功率器件的技术已经成熟,但是固有的材料极限使它们在高压、高频、高温和高功率应用中的性能受到了限制。因此诸如碳化硅(SiC)等宽带隙功率半导体器件开始变得更具吸引力,并且有可能在不久的将来在某些应用领域内取代硅器件。与硅相比,碳化硅材料具有许多优异的性能,如更高的临界电场,相对高的电子迁移率和更高的导热率,理论上碳化硅MOSFET有可能在很高的温度(>300℃)下工作。随着电力电子器件在恶劣环境中面临更广泛的应用,碳化硅MOSFET在高温环境下的运行能力也越来越受到关注。本文依托国家科技部的国家重点研发计划项目“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”,对碳化硅MOSFET静动态特征的参数温控特性进行了研究。本文将理论研究与实验验证相结合,详细的分析了室温到200℃高温下碳化硅MOSFET静态和动态特性的温控特性。然后设计了碳化硅MOSFET高温栅偏实验,研究了长时间高温栅偏后器件静态特性参数的稳定性,并对器件栅极氧化层的可靠性进行评估。研究结果表明,虽然碳化硅MOSFET具有十分敏感的温度特性,但是在200℃的高温下依旧具有良好的电气性能,并且与硅器件相比具有极低的漏电流和良好的阻断能力以及更低导通电阻。碳化硅MOSFET的总开关损耗对温度并不敏感。此外,长时间的高温栅偏之后,除阈值电压正向漂移外,其他静态特性参数都具有十分优异的稳定性。