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本论文主要探讨了几种氧化钒、钠钒氧化物以及Na1+xV3O8 一维纳米结构薄膜的制备与性质;并运用了稳态光电压的原理与技术,探讨研究了p-型硅基底上不同厚度TiO2、SnO2 的薄膜以及复合氧化物薄膜的光电压特性,阐述了界面在表面光伏测量中的作用,获得了一些创新性结果。观测到熔融石英、Si、ITO、Pt 片基底上形成的V2O5薄膜颗粒形貌与大小差异很大,分别表现出体相和表面主导的导电特性;在熔融石英基底上利用低真空与氢还原的方法得到热致变色特性良好的VO2薄膜。在钠玻璃的基底上利用不同温度区域发生的钠离子交换与钠离子扩散作用制得了几种钠钒氧化物的薄膜;通过控制薄膜的厚度、热处理的温度与时间等条件在钠玻璃的基底上制得了高结晶度、具有一维纳米结构的Na1+xV3O8 的薄膜。运用XRD、XPS 以及TEM 方法确定了Na1+xV3O8一维纳米结构的组成、结构并运用HRTEM 观测到Na1+xV3O8纳米带的高分辨像,结合电子衍射确定了纳米带的生长方向;探讨了Na1+xV3O8一维纳米结构的生长条件与机理以及导电特性与离子交换特性。开展了不同厚度TiO2、SnO2 的薄膜以及它们的复合氧化物薄膜的光电压特性研究,探讨了成膜厚度对界面的影响以及表面与不同复合界面在表面光伏效应中作用;不同复合结构的TiO2、SnO2 薄膜虽然组成相同,但由于跟硅基底形成的界面不同、复合层的厚度不同以及外表面的表面态不同导致其光伏特性变化。在对TiO2单晶和薄膜的表面和界面光电压特性的测量,并基于稳态光电压测量方法的等效电路,详尽讨论了光电压与光生电流的关系;通过比较外加电场对光电压、光电流响应的影响,分析了电场可能的作用机理,进而说明了扩展态与定域态,体相与界面产生的光电压具有不同的机制。