【摘 要】
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CuInS2是一种直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为1.5eV,光吸收系数高达105cm-1,具有高的理论光电转换效率,非常适合用作太阳能电池的吸收层材料,是当前光伏材料研究的热点。早期开发的化合物薄膜太阳能电池通常采用CdS作为缓冲层材料,它是一种对环境和人体有害的材料。在追求低成本、高效率的同时,开发无毒环保的无镉化ZnS等新型缓冲层材料替代CdS材料也是CuInS2薄膜太阳能电池研究的热点
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CuInS2是一种直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为1.5eV,光吸收系数高达105cm-1,具有高的理论光电转换效率,非常适合用作太阳能电池的吸收层材料,是当前光伏材料研究的热点。早期开发的化合物薄膜太阳能电池通常采用CdS作为缓冲层材料,它是一种对环境和人体有害的材料。在追求低成本、高效率的同时,开发无毒环保的无镉化ZnS等新型缓冲层材料替代CdS材料也是CuInS2薄膜太阳能电池研究的热点。在制备CuInS2薄膜的方法中,电沉积法是一种低温、非真空的镀膜技术,能够实现低成本、大面
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