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二十世纪中期华语电影在马来西亚的放映
【出 处】
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南京艺术学院
【发表日期】
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2020年01期
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化学机械平坦化（简称CMP）是现如今唯一可实现材料表面全局或局部平坦化的关键技术,其直接影响着集成电路多层铜布线结构的发展。阻挡层CMP是整个铜CMP过程中至关重要的一步,直接决定了最后的晶圆表面质量。但在阻挡层CMP过程中会产生碟形坑、蚀坑和划伤等缺陷,其会造成器件失效、良率降低等问题。现如今国际上通用阻挡层抛光液以酸性为主,其会有介质去除速率较低、CMP后腐蚀缺陷较多等问题。而较成熟的碱性抛光
市场视域下的艺术培训日益蓬勃发展，但是在高速发展的同时也出现了诸多问题。从艺术培训的产生与兴起入手，简单分析当前市场视域下社会艺术培训现状，对艺术培训的师生配比、教师的师资水平、艺术培训功利性过重等问题进行了阐述，然后提出了加强国家政策措施监管、扭转对艺术考级的片面认知、认清“双减”政策对艺术培训的影响等解决方案，希望通过一系列改变使社会艺术培训能够真正走出困境，成为提升学生艺术审美、弥补校内艺术
浅沟槽隔离（STI）化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中的一项关键技术,要求有高的高密度等离子体二氧化硅/氮化硅（HDP/Si3N4）速率选择比（大于30:1）,高的二氧化硅去除速率（3000?/min）,同时低的氮化硅损失和较小的碟形坑缺陷等。论文主要针对二氧化硅/氮化硅去除速率选择性较差,抛光液的分散稳定性差,以及抛光后的碟形坑缺陷难以控制进行了研究,主要内容如下:（1）HDP/Si3N4速
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作为元宇宙入口的增强现实/虚拟现实（AR/VR）近眼显示设备。微显示器（Micro LED）有着高对比度、低功耗及长寿命等优越的性能,但因其制造过程对晶圆表面平坦化的要求非常高,所以目前的产业化程度仍较低。Micro LED芯片基板的化学机械平坦化（CMP）是其技术推进、产业化程度提升的重要限制环节。因此,深入展开以钛（Ti）作为阻挡层的Micro LED基板CMP及其机理研究,对推进其技术发展具
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