(硼,过渡金属)共掺杂TiO2设计、制备及光催化性能研究

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在各类研究的半导体光催化材料中,TiO_2因其成本低、高稳定性以及环境友好等优点受到广泛关注。但是催化剂自身的宽带隙(Eg=3.2eV)和高电子—空穴复合率限制了TiO_2在太阳光下催化效率,影响了它在实际环境中的应用。本文以溶胶凝胶法制备了非金属硼(B)与过渡金属(M=Zr,Ta,Y)共掺杂纳米TiO_2光催化剂,通过光催化降解亚甲基蓝表征光催化剂性能,并结合XRD、Raman、SEM、BET、XPS、UV-vis等测试手段分析共掺杂对纳米TiO_2的结构,电子性质和光学性质的影响以及催化改性机制
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