溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的掺杂研究

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【摘要】

：

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子激发能量为60meV。由于ZnO薄膜在诸多方面良好的发展潜力,近几十年来人们围绕薄膜制备、材料复合、薄膜掺杂器件应用等方面展开了广泛的研究。通过在薄膜中掺杂铝元素,可以大幅提高薄膜的导电和透过率能,通过镁元素的掺杂,可以提高薄膜的禁带宽度和在紫外区域的透过率。而通过在薄膜中掺杂受主元素,可以获得P型半导体薄膜,从而对于发展具

【作者】

：

李高增

【机构】

：

山东大学

【发表日期】

：

2013年04期

【关键词】

：

溶胶-凝胶法 ZnO薄膜光电性能共掺杂

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