目前,硅基微纳器件已基本达到理论极限,新型半导体材料的研究迫在眉睫。二硫化钼（MoS2）作为一种新型半导体材料,由于其具有层状结构、可调的带隙及优异的光电性能等优点,在半导体领域展现出广阔的应用前景。为了实现二维MoS2薄膜在器件中的实际应用,制备大规模可控的高质量MoS2薄膜显得尤为重要。磁控溅射是一种能够实现大面积制备薄膜的方法,具备过程简单,成膜速度快,成本低且可重复性良好等特点。本文通过磁控溅射法,结合等离子减层及退火硫化等手段制备了少层MoS2薄膜,探究了制备及后处理过程中的工艺参数对薄膜形貌及光学性能的影响,主要研究内容及结果如下:（1）采用磁控溅射法制备MoS2,探究了不同溅射功率及溅射时间对薄膜形貌及性质的影响。结果表明:以石英作为衬底,除功率为5 W外,其他功率下制备的薄膜均具有良好的致密性及均匀性,随着溅射功率增大,薄膜生长速度加快。以蓝宝石作为衬底,功率为25 W,溅射时间为2 min时,衬底表面覆盖完全,形成致密的薄膜,制备的MoS2薄膜具有良好的结晶度。（2）探究了不同退火参数（退火时间及退火温度）对薄膜形貌及光学性能的影响,通过等离子刻蚀对薄膜进行减层处理,实现对薄膜层数的控制。结果表明,退火温度越高（500～800℃）,薄膜结晶越快;退火时间越长,薄膜结晶度的提升越明显,但当薄膜层数较少时,过高的温度和过长的时间会引起组分挥发,影响薄膜质量。利用等离子对多层MoS2薄膜进行刻蚀,能有效对薄膜进行减层,经过900 s的等离子处理后获得了层数为3层的致密均匀的薄膜。