【摘 要】
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5G时代通信设备的普及给人们带来便利的同时,也造成了大范围的电磁波污染,对人体造成极大伤害。因此,开发超薄、柔性、高性能的电磁屏蔽材料,应用于可穿戴电磁屏蔽领域具有重要价值与意义。近年来,具有高导电的碳纳米材料被广泛应用于在高效电磁干扰屏蔽研究领域。本文分别从实验材料与制备工艺入手,探究以MXene等碳纳米材料为主要成分的超薄复合薄膜的电磁屏蔽效能（SE）。通过LiF-HCl联合刻蚀法得到大尺寸单
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5G时代通信设备的普及给人们带来便利的同时,也造成了大范围的电磁波污染,对人体造成极大伤害。因此,开发超薄、柔性、高性能的电磁屏蔽材料,应用于可穿戴电磁屏蔽领域具有重要价值与意义。近年来,具有高导电的碳纳米材料被广泛应用于在高效电磁干扰屏蔽研究领域。本文分别从实验材料与制备工艺入手,探究以MXene等碳纳米材料为主要成分的超薄复合薄膜的电磁屏蔽效能（SE）。通过LiF-HCl联合刻蚀法得到大尺寸单层MXene胶体溶液,并采用简单的真空抽滤工艺合成了一种使用MXene（Ti3C2Tx）增强碳纳米管的复合电磁屏蔽薄膜。研究表明,MXene含量为19.6 wt%的复合薄膜在厚度仅有44.3μm的条件下,在X波段与Ku波段分别实现了40.5 d B和37.3 d B的屏蔽效果,与同厚度碳纳米管薄膜电磁屏蔽效能相比,分别提升了27.2%与38.1%。基于硫代乙酰胺和高锰酸钾的氧化还原反应,通过不同的原料物质量配比,采用水热法制备了不同晶型的硫化锰粉末;采用真空辅助过滤法制备含有不同晶型硫化锰的Mn S/MXene复合薄膜。分析得到含γ-Mn S的杂化薄膜电磁屏蔽性能更为优秀。复合薄膜厚度仅12.1μm,电磁屏蔽效能最大值达到49.3 d B。通过真空抽滤法制备基底碳纳米管（CNT）薄膜,再利用电泳沉积法制备了具有良好力学性能和高效电磁屏蔽性的MXene@CNT薄膜。通过优化实验参数,确定最佳沉积时间为15 min。同时,40μm的混合薄膜获得了最佳的机械性能（抗拉强度:29.2 MPa）。此外,在相同的厚度下,该薄膜在X波段和Ku波段分别显示出69.02 d B和77.32 d B的优秀电磁屏蔽效果（SE）。
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