本论文采用真空蒸镀和磁控溅射技术,制备了结构为Cu/Cu Pc/Al的薄膜二极管和结构为Cu/Cu Pc/Al/Cu Pc/Cu的薄膜晶体管,对制备的器件分别进行了电学性能测试和光学性能测试,通过计算表征器件的物理参数,探究该器件的光电转换能力及光电响应速度,解析动态光照下器件的开关特性机理,探讨器件实际应用的可能性。首先测试了酞菁铜有机薄膜二极管的输出特性和光电特性,结果表明,器件具备良好的整流特性,并计算出了器件的光学参数,比如填充因子FF、光电能量转换效率η,最后分析了器件的老化机制。然后,测试了晶体管（Cu Pc TFT）的静态输出特性,测试结果表明,栅极Al与上下两层Cu Pc形成了良好的肖特基接触,输出特性呈现出不饱和特性。在栅源电压为0V(V_GS=0V)和漏源电压为3V(V_DS=3V)的条件下,计算得到输出电流密度为2.25A/m²。同时根据公式可得器件的载流子浓度N_P为3.46?10¹⁵/cm³,电导率?为2.25?10^-9S/cm和迁移率?为4.06?10^-6cm²/Vs,并计算出了晶体管特性参数,包括跨导gm,阈值电压,输出电阻r _D和放大倍数?。其次,对Cu Pc有机薄膜晶体管的光电特性进行了测量,实验结果表明,Cu Pc TFT具有良好的光电敏感度,当漏源电压为3V时,光电敏感度达到0.0125A/W。在光照条件下,Cu Pc TFT的电流放大比为1.17-1.33倍。对有机晶体管的光敏机理进行分析,光照后肖特基接触势垒高度降低了14me V,阈值电压降低了大约0.2V。对Cu Pc有机薄膜晶体管施加频率为200Hz动态光照,经实验测得,Cu Pc TFT的开启时间t_on=1.5ms,关闭时间t_off=1.8ms,晶体管的时间响应表现为快速开关行为,开关时间达到毫秒级,说明Cu Pc TFT有非常快的响应速度。测试了器件的老化特性,器件在无封装的条件下,在五天内有一定稳定性。