随着集成电路的工艺发展到超深亚微米阶段，集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变。我们把这种现象称为光学邻近效应(OPE-Optical Proximity Effect)．为了应对光学邻近效应，工业界提出了分辨率增强技术(RET-Resolution Enhancement Technology)，减小设计版图与制造版图之间的误差。在光刻分辨率增强技术中，光学邻近校正(OPC-Optical Proximity Correction)已成为最重要的技术。光学邻近校正不是一个一次就能得到精确结果的过程，它是一个不断迭代的过程，需要多次验证修改。于是对已经做过OPC的版图(post-OPC版图)验证后的修正就逐渐成为提高OPC质量的必需步骤。传统的Post-OPC版图的修正需要对整个版图重做OPC，这样浪费了前次OPC的结果，而且可能会引入新的错误。于是业界提出了一种局部修正的办法——OPC平滑校正技术，充分利用前次OPC的结果，对出错点进行局部修正，以提高效率。本文研究的对象是原始版图(pre-OPC版图)和post-OPC版图中的图形。对版图中最基本的单元进行分析处理，力求得到能够优化OPC的算法。本文提出了一种用于post-OPC版图修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图，提取OPC校正时的分段信息和段偏移量，使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果，避免了重做OPC，提高了OPC验证后修正的效率。