砷化镓（GaAs）基Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池由于具有高光电转化效率、高可靠性等优点,被广泛应用于航空航天、卫星等领域。相比于硅太阳电池,Ⅲ-Ⅴ太阳电池由于高成本从而被限制了其在民用领域的应用。因此,如何降低其成本受到了产业界的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池成本的降低主要包括效率提升和工艺改进两个方面。随着材料质量的不断提高和器件结构设计的不断优化,Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池的效率也在不断提高。目前三结太阳电池的效率提升已经非常困难。因此,探索太阳电池创新性制备工艺技术是降低成本的重要途径。本文围绕柔性Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池的键合和解键合工艺及Ⅲ-Ⅴ太阳电池的电极制备工艺两个方面展开了系统的研究。主要研究成果如下:1.研究了柔性Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池的键合和解键合工艺。在对比了多种键合、解键合方式后,选择了UV固化胶键合、紫外激光解键合相结合的临时键合技术优化方案并对其进行探索和优化。通过对临时衬底上涂覆激光释放材料匀胶、固化参数、临时键合、UV胶的粘附性、解键合等的探索和优化,实现了优化后的柔性Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池制备中的临时键合技术工艺方案。该方案具有很强的晶圆尺寸兼容性,优化了解键合困难的问题,成本相对大幅度降低。2.研究了ITO替代传统的金属栅线电极用作Ⅲ-Ⅴ太阳电池电极的方法。并且在深入分析ITO薄膜结构和光学性质的基础上,研究了ITO薄膜的晶格结构和表面特征、ITO薄膜的透过率与工艺参数的关系以及ITO薄膜折射率和其反射率与衬底材料和ITO厚度的关系。ITO薄膜材料具有良好的导电率、透过率以及工艺兼容性,为太阳电池的低成本制备提供了一种非常有潜力的电极材料。