采用改进的线性组合算符及幺正变换方法研究了Rashba效应影响下量子点中强耦合极化子的性质。导出在电子．体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的基态分裂能、相互作用能和有效质量。半导体抛物量子点中强耦合极化子的振动频率九。、相互作用能H<,int>和有效质量m<,±>不仅与LO声子的频率、电子一声子耦合强度α、量子点的受限强度ω<,0>有关，而且相互作用能H<,int>和有效质量m<,±>还与Rashba自旋-轨道耦合常数α<,R>有关。对RbCl晶体量子点进行数值计算结果表明Rashba自旋-轨道相互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支：量子点振动频率随受限强度的增加而增加：极化子的相互作用能随振动频率的增加先急剧增加，当达到极值后，随受限强度的增加而急剧减少。声子对总能量贡献为负，所以极化子自旋分裂态比裸电子更稳定。 采用改进的线性组合算符及幺正变换方法研究了Rashba效应影响下量子点中弱耦合束缚极化子的性质。导出了Rashba效应影响下量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率、有效质量、基态分裂能和相互作用能。半导体抛物量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率λ<,0>不仅与电子．声子耦合强度α、以及库仑势β有关，还与量子点的有效受限长度l<,0>。有关。半导体抛物量子点中弱耦合束缚极化子的相互作用能H<,int>不仅与LO声子的振动频率、电子．声子耦合强度α、以及库仑束缚势|β|、量子点的有效受限长度Io有关，而且还与Rashba自旋．轨道耦合常数α<,R>有关。半导体抛物量子点中弱耦合束缚极化子的有效质量m<,±>不仅与电子．声子耦合强度α有关而且与Rashba自旋·轨道耦合常数α<,R>有关。讨论了量子点的基态分裂能、相互作用能、有效受限长度随振动频率变化曲线；对GaAs晶体量子点进行数值计算结果表明表明Rashba自旋·轨道相互作用使极化子的基态能分裂为上下两支，束缚极化子的振动频率随有效受限长度的减少而急剧增大，极化子的相互作用能随振动频率的增加先急剧增加，当达到极值后，随受振动频率的增加而急剧减少。因为声子和库仑束缚势的存在使得粒子的总能量被降低，从而束缚极化子的分裂态更稳定。