透明导电氧化物薄膜(TCO)在现代社会多个领域有着重要的应用,如太阳能电池、薄膜晶体管、平板显示器等。常见的TCO材料如锡掺杂氧化铟(ITO)面临着原材料短缺、制作工艺复杂、性能提升困难等问题,因此需要寻找新型的TCO来满足越来越大的市场需求。钙钛矿结构锡酸盐ASn03(A=Ba,Sr)是一类具有宽带隙、高载流子迁移率的半导体氧化物,通过掺杂后可以获得非常好的导电性和良好的可见光透过特性,十分适合应用于TCO领域,通过和其他钙钛矿光电材料相结合,有望实现全钙钛矿结构的光电子器件应用,因此成为TCO领域的研究热点之一。SrSnO3具有高达4.1eV的带隙且热稳定性很好,晶格常数与SrTiO3、LaAlO3、GdSO3等商用衬底匹配良好,因此有着巨大的科学价值和应用前景。由于SrSnO3在不同的生长温度下会形成多种不同的相,且生长出结晶性良好的高质量薄膜很困难,因此在大规模应用方面仍有很多问题需要解决。在本论文中,我们选择La掺杂的SrSnO3,薄膜作为研究对象,通过脉冲激光沉积的方法制备了高质量的薄膜样品,系统研究了生长温度和氧分压对其结晶质量的影响、掺杂量对其导电性能的影响、晶格应力对于其导电性能和光学透过率的影响,并测试了样品的磁电输运特性,主要内容如下:1.使用EDS测量了使用脉冲激光沉积方法生长的La掺杂薄膜的化学成分,随后利用XRD、AFM对不同温度下使用脉冲激光沉积方法生长的样品的结晶质量进行了测量,得到了La:SrSnO3的温度生长窗口大概在750℃-850℃。随后研究了氧分压对其薄膜质量的影响,发现在高氧分压下容易获得结晶良好的样品,而在低氧压和真空下难以获得结晶质量良好的薄膜。2.研究了5%La掺杂的SrSnO3的变温电输运特性。本文使用范德堡法对样品进行了电阻率以及磁电阻的测量,电阻率随温度先降低后升高,为典型的重掺杂半导体输运特性。进一步分析ρ-logT曲线表明低温下可能存在着电子-电子相互作用(EEI)和弱局域(WL)效应。低温下样品的电学特性测量结果表明电阻率ρ随logT的线性变化是两种作用共同影响的结果。3.研究了随着La掺杂量的变化,其电学性能的变化趋势。结果表明,随着掺杂量的增加,其导电能力呈现一个先升高后略微降低的趋势。随后研究了随着薄膜厚度变化,样品晶格结构的变化。在SrTiO3(001)和LaAlO3(001)衬底上分别生长了不同厚度的La0.05Sr0.95SnO3样品,发现随着厚度的减小,样品会受到更强的晶格应力,当晶格应力到一定程度后会引起样品导电性能的显著降低,这是由于晶格结构变化带来的物性变化。最后我们对生长在多种衬底上的不同厚度样品的光学透过率进行了测量,结果显示应力会显著影响La掺杂SrSnO3样品的带隙大小。