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由于ZnO纳米线具有大的比表面积，从而产生了其块状材料所不具备的表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等，这些优异的性能使ZnO纳米线广泛应用于发光二极管，场效应晶体管，化学/气体传感器，光电检测器和平板显示器等。尽管一维纳米光电子器件在紫外光电器件中展现出许多优异的性能，人们对基于半导体纳米线肖特基势垒的一维光检测器件的性能也开展了许多研究工作，取得长足的进展，但仍然存在一些问题。首先，研究发现影响光检测的主要因素是肖特基势垒，肖特基势垒高度受到表面态的控制。但是由于ZnO纳米线的