在用MPCVD装置沉积金刚石膜的工艺过程中,由于技术的限制导致沉积的金刚石膜质量较差,而且效率较低,而此问题的核心就在于MPCVD装置中的谐振腔。传统的方法是通过调整谐振腔的尺寸来改善谐振腔内电磁场的分布和提高谐振腔的品质参数(谐振频率和品质因数),或者通过引进高次模来提高谐振腔内的电磁场强度和品质参数,但是,实际在谐振腔的设计过程中,谐振腔的尺寸不可能无限减小,而且由于填充介质引起的损耗以及引进高次模所带来的模式干扰导致谐振腔内部电磁场分布的优化受到限制,同时还导致谐振腔品质参数的提高也变得困难。因此,本文以左手材料为核心,根据“左手材料”的特殊性质,运用电动力学理论对谐振腔内部电磁场分布进行计算研究,通过High Frequency Structure Simulator(简称HFSS)仿真软件对谐振腔内的场分布进行模拟。另外,还研究了填充不同属性的左手材料对谐振腔的谐振频率和品质因数的影响规律。计算研究结果显示:左手材料的填充可以改善谐振腔内部电磁场的分布。相对于传统材料而言,左手材料的填充可以使谐振腔内部中心部位的电磁场分布集中、电磁场强度增加。此外,填充不同属性的左手材料对谐振腔的谐振频率和品质因数也有比较特殊的影响,从而找到性质最佳的左手材料作为谐振腔内的填充介质来最有效的提高谐振腔的品质参数。该方法克服了传统材料对谐振腔内电磁场分布优化的局限性,为设计新型的谐振腔提供了一定的理论指导作用。