半导体量子点因其量子尺寸效应,使量子点的能级分立并尖锐化,荧光辐射比体材料明显增强,表现出与其尺寸相关联的一系列奇妙的光学、电学和磁学特性,使得量子点成为近年来人们研究的热点。例如,PbSe量子点的尺寸远小于其激子玻尔半径(46 nm),而表现出强烈的量子限域效应,量子产率甚至高达(300~700)%,得到了人们的很大关注。本文采用高温熔融法,首先经过一步热处理,初步在钠硼铝硅酸盐玻璃基底中合成了具有荧光辐射谱的Pb Se量子点,其峰值波长位于1440~1695 nm。但这种一步热处理法存在量子点浓度低、辐射峰强度较弱、量子点尺寸可控性差等缺点。接着,经过优化后采用两步退火热处理法,成功合成了晶粒尺寸为3.63~4.33 nm、掺杂体积比为2%的PbSe量子点。用高温差热分析测定了最佳热处理温度,通过X射线衍射仪和透射电镜分析了玻璃中PbSe量子点的分布、晶体尺寸和粒径等特征。采用分光光度仪和荧光光谱仪,观察分析了量子点玻璃的吸收谱和荧光发射谱。结果表明:第一次热处理时间在3~5 h之间,温度为500°C,玻璃才有强的荧光辐射,其辐射峰的半高全宽(FWHM)为200 nm,峰值波长位1220~1279nm。第二次热处理的最佳时间为10 h,温度为540°C。给出了量子点尺寸关于第一次热处理时间的经验公式。本文提供的制备PbSe量子点玻璃的方法和工艺数据,为将量子点玻璃拉制成光纤,制成高增益或宽带宽的新型光纤提供了依据。