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随着信息技术的发展,对存储技术的要求越来越高,提高记录密度和读写速度,降低功耗已经成为信息技术中研究最为活跃的领域之一。基于垂直磁隧道结(Magnetic Tunnelling Junction,MTJ)的磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM)具有存储密度大、读写速度快和功耗低等优点而有望成为新一代通用存储器。Co_2FeAl(CFA)和GdFeCo两种软磁薄膜具有大的垂直磁各向异性。另外,CFA合金薄膜有着高的自旋极化率和低的阻尼因子,GdFeCo薄