氧化物薄膜晶体管（TFT）由于其超低关断电流、较高场效应迁移率、均匀性好等优势而在大面积、透明、柔性及节能显示领域备受关注。目前,产业化的TFT均为真空法制备的,其设备昂贵、工序复杂、材料利用率低。相比于真空法,溶液法具有成本低、材料利用率高、易于灵活控制掺杂比例等优势而受到广泛关注。采用溶液法制备HfO2、Al2O3和ZrO2等高k栅介质,可降低TFT器件工作电压,并提高器件工作的可靠性。近年来,已经有许多关于高场效应迁移率(甚至大于100 cm~2V-1s-1)的溶液加工氧化物TFT的报道。但是,溶液加工的氧化物栅介质的电容不确定性会导致器件的不稳定和迁移率的严重高估。因此本文针对不同的栅介质材料和制备过程等方法展开实验,对溶液加工栅介质的薄膜特性及器件电学性能进行了深入探究。（1）溶液加工Al2O3栅介质的研究。旋涂Al2O3前驱体溶液并在不同温度下和不同湿度下退火制备栅介质薄膜。溅射In ScOx（In2O3:Sc2O3=98:2,wt%）半导体作为有源层。发现在低温度和高湿度退火的Al2O3栅介质展现出较强的双电层极化,低频电容密度（Ci）较大,随着频率增高Ci迅速降低。为进一步探究氢离子对器件的影响,在旋涂前驱体前对栅极表面进行水处理。基于无水处理的和水处理的Al2O3的氧化物TFT的迟滞电压分别为0.16 V和-0.24 V,水处理的Al2O3栅介质表现出更强的双电层极化。采用TOF-SIMS验证薄膜中氢元素的存在,经水处理的Al2O3栅介质中氢含量从Al2O3表面到Al2O3/ITO界面逐渐减小。（2）溶液加工HfO2栅介质的研究。旋涂HfO2前驱体溶液并在不同温度下退火制备栅介质薄膜。随着退火温度的升高,HfO2栅介质Ci在低频时先增大后降低。转移特性曲线中呈现逆时针迟滞,迟滞电压小于0 V且数值随温度升高降低。在低温退火时HfO2栅介质薄膜中含有一定的氢离子或羟基基团,展现出一定的双电层极化。（3）溶液加工ZrO2栅介质的研究。旋涂ZrO2前驱体溶液并在不同温度下退火制备栅介质薄膜。栅介质Ci随着退火温度的升高而增大,Ci基本不随f、V变化,未表现出明显的双电层极化。ZrO2薄膜中的双电层极化效果与Al2O3、HfO2薄膜相比更弱。基于Al2O3栅介质层的氧化物TFT易受制备工艺和制备环境的影响,制备过程中氢含量的改变会影响器件性能;而基于ZrO2的氧化物TFT的性能受工艺环境影响小;基于HfO2的氧化物TFT的性能受工艺环境影响介于两者之间。结合三种高k栅介质薄膜的介电常数、禁带宽度和极化方式等特性,进而为前驱体溶液的配比、成分及制备方式提供参考。